湖南静芯微电子技术有限公司 main business:集成电路设计；集成电路布图设计代理服务；电子产品批发；电子技术研发；电子元件、电子器件的制造；电子元器件的销售。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 430194000019940
- 914301003516663300
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2015-07-29
- 董鹏
- 300万人民币
- 2015-07-29 至 永久
- 长沙市工商行政管理局经济技术开发分局
- 长沙经济技术开发区螺丝塘路德普企业公元6栋C座303
- 集成电路设计；集成电路布图设计代理服务；电子产品批发；电子技术研发；电子元件、电子器件的制造；电子元器件的销售。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205582938U | 一种由反偏二极管触发的双向可控硅器件 | 2016.09.14 | 本实用新型公开了一种由反偏二极管触发的双向可控硅器件，其器件结构由P型衬底；P型衬底上的BN+埋层和 |
| 2 | CN105633074A | 一种由反偏二极管触发的双向可控硅器件 | 2016.06.01 | 本发明公开了一种由反偏二极管触发的双向可控硅器件，其器件结构由P型衬底；P型衬底上的BN+埋层和高压 |
| 3 | CN205177840U | 一种双向瞬态电压抑制器件 | 2016.04.20 | 本实用新型公开了一种基于硅平面工艺、NPNPN型高维持电压、高峰值电流、可双向箝位瞬态过压的双向瞬态 |
| 4 | CN105374815A | 一种双向瞬态电压抑制器件 | 2016.03.02 | 本发明公开了一种基于硅平面工艺、NPNPN型高维持电压、高峰值电流、可双向箝位瞬态过压的双向瞬态电压 |
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